IXFN320N17T2 | Littelfuse
Littelfuse N-Kanal GigaMOS TrenchT2 HiperFETT Power MOSFET, 170 V, 260 A, SOT-227, IXFN320N17T2
Bestellnr.: 74P1033
EAN: 4099891778989
HTN:
IXFN320N17T2
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MOSFET, IXFN320N17T2, LITTELFUSE
Ein Leistungs-MOSFET mit N-Kanal-Anreicherungsmodus, Avalanche-Bewertung und mit Vorteilen wie hoher Leistungsdichte, einfacher Montage und Platzersparnis.
Features
- Internationales Standardgehäuse
- miniBLOC mit Aluminiumnitrid-Isolierung
- Hohe Strombelastbarkeit
- Schnelle intrinsische Diode
- Niedriger RDS(on)
Anwendungen
- Synchrone Gleichrichtung
- DC-DC-Wandler
- Batterieladegeräte
- Schaltnetzteile und Resonanznetzteile
- DC-Chopper
- AC-Motorantriebe
- Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS)
- Hochgeschwindigkeits-Leistungsschaltanwendungen
Technische Daten
| Verlustleistung W (DC) | 1070 W | |
| max. Strom | 260 A | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 6.4x10<sup>-7</sup> C | |
| max. Temperatur | 175 °C | |
| Ausführung | N-Kanal | |
| Montage | Schraubmontage | |
| max. Spannung | 170 V | |
| Gehäuse | SOT-227 | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 5.2 mΩ | |
| min. Temperatur | -55 °C |
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Logistik
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Ursprungsland | KR |
Compliance
| SVHC frei | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| RoHS konform | Ja |