IXBT12N300HV | Littelfuse
IGBT, 3000 V, 12 A, TO-268HV, Littelfuse IXBT12N300HV
Bestellnr.: 74P0735
EAN: 4099891776008
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IXBT12N300HV
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IGBT, IXBT12N300HV, Littelfuse
BiMOSFETs sind ein Bauelement, in dem die Stärken von MOSFETs und IGBTs kombiniert sind. Dieses Hochspannungsbauelement ist aufgrund des positiven Temperaturkoeffizienten der Sättigungsspannung und des Durchlassspannungsabfalls der inneren Diode ideal für den Parallelbetrieb. Darüber hinaus dient diese "freie" intrinsische Body-Diode als Schutzdiode, die einen alternativen Pfad für den induktiven Laststrom bietet, wenn das Gerät ausgeschaltet ist, und verhindert, dass hohe Ldi/dt-Spannungstransienten das Gerät beschädigen.
Features
- Hohe Leistungsdichte
- Hochfrequenzbetrieb
- Geringe Leitungsverluste
- MOS-Gate für einfache Ansteuerung einschalten
- Leicht zu montieren
Anwendungen
- Schalt- und Resonanzstromversorgungen
- Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS)
- Laser- und Röntgenstrahlgeneratoren
- Kondensator-Entladeschaltungen
- Stromkreise für Hochspannungsimpulsgeber
- Hochspannungsprüfgeräte
- AC-Schalter
Technische Daten
| Ausführung | Einfach | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Verlustleistung VA (AC) | 160 W | |
| max. Strom | 12 A | |
| Montage | SMD | |
| Sättigungsspannung | 3.2 V | |
| max. Spannung | 3000 V | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Gehäuse | TO-268HV |
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Logistik
| Zolltarifnummer | 85411000 |
| Ursprungsland | KR |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |