IXBN75N170 | Littelfuse

IGBT, 1700 V, 75 A, SOT-227, Littelfuse IXBN75N170

Bestellnr.: 74P0734
EAN: 4099891775995
HTN:
IXBN75N170
IXBN75N170 Littelfuse IGBTs
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IGBT, IXBN75N170, Littelfuse

BiMOSFETs sind ein Bauelement, in dem die Stärken von MOSFETs und IGBTs kombiniert sind. Dieses Hochspannungsbauelement ist aufgrund des positiven Temperaturkoeffizienten der Sättigungsspannung und des Durchlassspannungsabfalls der inneren Diode ideal für den Parallelbetrieb. Darüber hinaus dient diese "freie" intrinsische Body-Diode als Schutzdiode, die einen alternativen Pfad für den induktiven Laststrom bietet, wenn das Gerät ausgeschaltet ist, und verhindert, dass hohe Ldi/dt-Spannungstransienten das Gerät beschädigen.

Features

  • Hohe Leistungsdichte
  • Hohe Sperrspannung
  • Geringe Leitungsverluste
  • MOS-Gate für einfache Ansteuerung einschalten
  • Einfacheres Systemdesign

Anwendungen

  • Radar-Sender-Stromversorgungen
  • Radar-Impulsmodulatoren
  • Kondensator-Entladungsschaltungen
  • Hochspannungs-Stromversorgungen
  • AC-Schalter
  • HV-Schutzschalter
  • Impulsgeber-Schaltungen
Technische Daten
max. Strom 75 A
max. Temperatur 150 °C
Ausführung Einfach
Verlustleistung VA (AC) 625 W
Montage SMD
max. Spannung 1700 V
Gehäuse SOT-227
Sättigungsspannung 6 V
min. Temperatur -55 °C
Logistik
Zolltarifnummer 85411000
Ursprungsland KR
Compliance
SVHC frei Ja
Stand der RoHS-Richtlinie 31.03.15
RoHS konform Ja