IRF620PBF | International Power Semiconductor
International Power Semiconductor N-Kanal Power MOSFET, 200 V, 5.2 A, TO-220, IRF620PBF
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MOSFET NFET s Reihe IRF.../UF.
Technische Merkmale (Typ, Polarität, Spannung (VDS), Widerstand (RDS), Strom (ID), Leistung, Gehäuse, Hersteller): IRF620, N, 200 V, 800 m Ohm, 5,2 A, 50 W, TO220
Technische Daten
| Montage | THT | |
| Verlustleistung W (DC) | 50 W | |
| Ausführung | N-Kanal | |
| max. Strom | 5.2 A | |
| max. Spannung | 200 V | |
| Gehäuse | TO-220 |
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Logistik
| Originalverpackung | Stange mit 50 Stück |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Ursprungsland | MX |
Compliance
| SVHC frei | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| RoHS konform | Ja |