BUZ80A | International Power Semiconductor
International Power Semiconductor N-Kanal Power MOSFET, 800 V, 4 A, TO-220, BUZ80A
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Transistor, BUZ80A, IPS
Features
- N-Kanal
- Enhancement-Modus
- Avalanche-bewertet
Technische Daten
| Ausführung | N-Kanal | |
| Gehäuse | TO-220 | |
| max. Spannung | 800 V | |
| max. Strom | 4 A | |
| Montage | THT |
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Logistik
| Ursprungsland | IN |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Bulk mit 50 Stück |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |
