BUZ80-T | International Power Semiconductor
International Power Semiconductor N-Kanal Power MOSFET, 800 V, 3.4 A, TO-220, BUZ80-T
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Transistor, BUZ80-T, IPS
Features
- N-Kanal
- Enhancement-Modus
- Avalanche-bewertet
Technische Daten
| Ausführung | N-Kanal | |
| Gehäuse | TO-220 | |
| max. Spannung | 800 V | |
| max. Strom | 3.4 A | |
| Montage | THT | |
| Verlustleistung W (DC) | 100 W |
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Logistik
| Ursprungsland | IN |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Bulk mit 100 Stück |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |
