IS66WVQ16M4FALL-200BLI | Integrated Silicon Solution INC
PSRAM, 64 Mbit, LBGA-24, Integrated Silicon Solution INC IS66WVQ16M4FALL-200BLI
Bestellnr.: 54S0650
HTN:
IS66WVQ16M4FALL-200BLI
NCNR (nicht stornierbar / nicht retournierbar)
Einzelpreis (€ / Stk.)
5,4439 € *
Standardlieferzeit ab Hersteller beträgt: 1 Woche
PSRAM-Speicher, IS66WVQ16M4FALL-200BLI, Integrated Silicon Solution INC
Der IS66WVQ16M4FALL-200BLI ist ein integriertes Speichergerät mit 64 MB pseudostatischem Direktzugriffsspeicher, das ein selbstaktualisierendes DRAM-Array mit einer Größe von 16 Millionen Wörtern à 4 Bit verwendet. Das Gerät unterstützt eine Quad-DDR-Schnittstelle, die mit dem JEDEC-Standard x4 xSPI Flash kompatibel ist. Das Gerät unterstützt Very Low Signal Count (7 Signalpins; SCLK, CS#, DQSM und 4 SIOs), Hidden Refresh Operation und den Betrieb bei Automobil-Temperaturen (A2, -40 °C bis +105 °C). Aufgrund des DDR-Betriebs beträgt die minimale übertragene Datenmenge ein Byte (8 Bit) über 4 SIO-Pins.
Features
- Quellensynchrones Ausgangssignal während des Lesevorgangs (DQSM)
- Datenmaskierung während des Schreibvorgangs
- Konfigurierbare Latenz für Lesen/Schreiben
- Unterstützt den Modus mit variabler Latenz und den Modus mit fester Latenz
- Unterstützt den Wrapped-Burst-Modus und den Continuous-Burst-Modus
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Gehäuse | LBGA-24 | |
| Montage | SMD | |
| Speichergröße | 64 Mbit | |
| Spannung | 1,7-1,95 V | |
| Zugriffszeit | 5 s | |
| Taktfrequenz | 200 MHz | |
| Technologie | SRAM | |
| min. Temperatur | -40 °C | |
| max. Temperatur | 85 °C |
Download
Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Ursprungsland | TW |
| Zolltarifnummer | 85423261 |
| MSL | MSL 3 |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |