IS66WVO32M8DALL-200BLI | Integrated Silicon Solution INC

PSRAM, 256 Mbit, LBGA-24, Integrated Silicon Solution INC IS66WVO32M8DALL-200BLI

Bestellnr.: 54S0404
HTN:
IS66WVO32M8DALL-200BLI
IS66WVO32M8DALL-200BLI Integrated Silicon Solution INC Speicher ICs Bild 1
IS66WVO32M8DALL-200BLI Integrated Silicon Solution INC Speicher ICs Bild 2
Abbildung kann abweichen
Einzelpreis (€ / Stk.)
7,6159 € *
Standardlieferzeit ab Hersteller beträgt: 1 Woche
Gesamtpreis:
7,62 € *
*inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten
Zwischenverkauf vorbehalten
1 Stk.
7,6159 €

PSRAM-Speicher, IS66WVO32M8DALL-200BLI, Integrated Silicon Solution INC

Der IS66WVO32M8DALL-200BLI ist ein integriertes Speichergerät mit 256 MB pseudostatischem Direktzugriffsspeicher, der ein selbstaktualisierendes DRAM-Array mit einer Größe von 32 Millionen Wörtern à 8 Bit verwendet. Das Gerät unterstützt eine Oktal-Peripherieschnittstelle (Adresse, Befehl und Daten über 8 SIO-Pins), eine sehr geringe Signalanzahl (11 Signalpins: SCLK, CS#, DQSM und 8 SIOs), einen versteckten Auffrischungsbetrieb und den Betrieb bei Automobil-Temperaturen (A2, -40 °C bis +105 °C). Aufgrund des DTR-Betriebs basiert die minimale übertragene Datengröße auf Wörtern (16 Bit) statt auf Bytes (8 Bit).

Features

  • Quellensynchrones Ausgangssignal während des Lesevorgangs (DQSM)
  • Datenmaskierung während des Schreibvorgangs
  • Konfigurierbare Latenz für Lesen/Schreiben
  • Unterstützt den Modus mit variabler Latenz und den Modus mit fester Latenz
  • Konfigurierbare Antriebsstärke
  • Unterstützt den Wrapped-Burst-Modus und den Continuous-Burst-Modus
  • Unterstützt den Deep Power Down-Modus
Technische Daten
Filter Merkmal Wert
Gehäuse LBGA-24
Montage SMD
Speichergröße 256 Mbit
Spannung 1,7-1,95 V
Taktfrequenz 200 MHz
Technologie SRAM
min. Temperatur -40 °C
max. Temperatur 85 °C
Logistik
Merkmal Wert
Ursprungsland TW
MSL MSL 3
Zolltarifnummer 85423261
Compliance
Merkmal Wert
RoHS konform Ja
Stand der RoHS-Richtlinie 31.03.15
SVHC frei Ja