IS66WVO32M8DALL-200BLI | Integrated Silicon Solution INC
PSRAM, 256 Mbit, LBGA-24, Integrated Silicon Solution INC IS66WVO32M8DALL-200BLI
Bestellnr.: 54S0404
HTN:
IS66WVO32M8DALL-200BLI
NCNR (nicht stornierbar / nicht retournierbar)
Einzelpreis (€ / Stk.)
7,6159 € *
Standardlieferzeit ab Hersteller beträgt: 1 Woche
PSRAM-Speicher, IS66WVO32M8DALL-200BLI, Integrated Silicon Solution INC
Der IS66WVO32M8DALL-200BLI ist ein integriertes Speichergerät mit 256 MB pseudostatischem Direktzugriffsspeicher, der ein selbstaktualisierendes DRAM-Array mit einer Größe von 32 Millionen Wörtern à 8 Bit verwendet. Das Gerät unterstützt eine Oktal-Peripherieschnittstelle (Adresse, Befehl und Daten über 8 SIO-Pins), eine sehr geringe Signalanzahl (11 Signalpins: SCLK, CS#, DQSM und 8 SIOs), einen versteckten Auffrischungsbetrieb und den Betrieb bei Automobil-Temperaturen (A2, -40 °C bis +105 °C). Aufgrund des DTR-Betriebs basiert die minimale übertragene Datengröße auf Wörtern (16 Bit) statt auf Bytes (8 Bit).
Features
- Quellensynchrones Ausgangssignal während des Lesevorgangs (DQSM)
- Datenmaskierung während des Schreibvorgangs
- Konfigurierbare Latenz für Lesen/Schreiben
- Unterstützt den Modus mit variabler Latenz und den Modus mit fester Latenz
- Konfigurierbare Antriebsstärke
- Unterstützt den Wrapped-Burst-Modus und den Continuous-Burst-Modus
- Unterstützt den Deep Power Down-Modus
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Gehäuse | LBGA-24 | |
| Montage | SMD | |
| Speichergröße | 256 Mbit | |
| Spannung | 1,7-1,95 V | |
| Taktfrequenz | 200 MHz | |
| Technologie | SRAM | |
| min. Temperatur | -40 °C | |
| max. Temperatur | 85 °C |
Download
Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Ursprungsland | TW |
| Zolltarifnummer | 85423261 |
| MSL | MSL 3 |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |