IS66WVH16M8DBLL-100B1LI | Integrated Silicon Solution INC
PSRAM, 128 Mbit, LBGA-24, Integrated Silicon Solution INC IS66WVH16M8DBLL-100B1LI
Bestellnr.: 54S0088
HTN:
IS66WVH16M8DBLL-100B1LI
NCNR (nicht stornierbar / nicht retournierbar)
Einzelpreis (€ / Stk.)
5,7363 € *
Standardlieferzeit ab Hersteller beträgt: 1 Woche
HyperRAM, IS66WVH16M8DBLL-100B1LI, Integrated Silicon Solution INC
Der IS66WVH16M8DBLL-100B1LI ist ein integrierter Speicherbaustein mit 128 Mbit pseudostatischem Direktzugriffsspeicher, der ein selbstaktualisierendes DRAM-Array mit einer Größe von 16 M Wörtern à 8 Bit verwendet. Das Gerät ist ein Dual-Die-Stack aus zwei 64-MB-Dies. Das Gerät unterstützt eine HyperBus-Schnittstelle, eine sehr geringe Signalanzahl (Adresse, Befehl und Daten über 8 DQ-Pins), einen versteckten Refresh-Betrieb und einen Automobil-Temperaturbetrieb und wurde speziell für Mobil- und Automobilanwendungen entwickelt.
Merkmale
- 8-Bit-Datenbus
- Bidirektionaler Daten-Strobe/Maske
- Sequentielle Burst-Transaktionen
- RWDS DCARS-Timing
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Gehäuse | LBGA-24 | |
| Montage | SMD | |
| Speichergröße | 128 Mbit | |
| Spannung | 2,7-3,6 V | |
| Zugriffszeit | 40 s | |
| Taktfrequenz | 100 MHz | |
| Technologie | SRAM | |
| min. Temperatur | -40 °C | |
| max. Temperatur | 85 °C |
Download
Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Ursprungsland | TW |
| Zolltarifnummer | 85423261 |
| MSL | MSL 3 |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |