IS66WVE4M16EBLL-70BLI | Integrated Silicon Solution INC
PSRAM, 64 Mbit, TFBGA-48, Integrated Silicon Solution INC IS66WVE4M16EBLL-70BLI
Bestellnr.: 54S0080
HTN:
IS66WVE4M16EBLL-70BLI
Einzelpreis (€ / Stk.)
5,3882 € *
Standardlieferzeit ab Hersteller beträgt: 1 Woche
PSRAM, IS66WVE4M16EBLL-70BLI, Integrated Silicon Solution INC
Der IS66WVE4M16EBLL-70BLI ist ein integriertes Speichergerät mit einem 64-Mbit-Pseudo-Statik-Random-Access-Speicher, der ein selbstaktualisierendes DRAM-Array mit einer Größe von 4 Millionen Wörtern à 16 Bit verwendet. Das Gerät verfügt über mehrere Energiesparmodi: den Teil-Array-Refresh-Modus, bei dem die Daten in einem Teil des Arrays gespeichert bleiben, und den Deep-Power-Down-Modus. Beide Modi reduzieren den Standby-Stromverbrauch. Der Chip verfügt über separate Stromschienen, VDDQ und VSSQ, damit die E/A über eine vom Gerätekern getrennte Stromversorgung betrieben werden können.
Features
- Asynchrone Schnittstelle und Seitenmodus-Schnittstelle
- Geringer Stromverbrauch
- Temperaturgeregelte Auffrischung
- Teilweise Array-Aktualisierung
- Tiefschlafmodus (DPD)
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Gehäuse | TFBGA-48 | |
| Montage | SMD | |
| Speichergröße | 64 Mbit | |
| Spannung | 2,7-3,6 V | |
| Zugriffszeit | 70 s | |
| Technologie | SRAM | |
| min. Temperatur | -40 °C | |
| max. Temperatur | 85 °C |
Download
Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Ursprungsland | TW |
| MSL | MSL 3 |
| Zolltarifnummer | 85423261 |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |