IS66WV51216EBLL-70BLI | Integrated Silicon Solution INC

Ultra Niedrige Leistung Pseudo-CMOS-Statischer Speicher, IS66WV51216EBLL-70BLI, Integrated Silicon Solution INC

Der IS66WV51216EBLL-70BLI ist ein schneller statischer 8-Mbit-RAM, der als 512 K Wörter à 16 Bit organisiert ist. Er wird unter Verwendung der hochleistungsfähigen CMOS-Technologie von ISSI hergestellt. Dieser äußerst zuverlässige Prozess in Verbindung mit innovativen Schaltungsdesigntechniken ergibt ein leistungsstarkes Gerät mit geringem Stromverbrauch. Wenn CS1# HIGH (nicht ausgewählt) oder CS2 LOW (nicht ausgewählt) ist, wechselt das Gerät in einen Standby-Modus, in dem die Verlustleistung mit CMOS-Eingangspegeln reduziert werden kann. Eine einfache Speichererweiterung wird durch die Verwendung von Chip-Enable- und Output-Enable-Eingängen ermöglicht. Das aktive LOW Write Enable (WE#) steuert sowohl das Schreiben als auch das Lesen des Speichers. Ein Datenbyte ermöglicht den Zugriff auf das obere Byte (UB#) und das untere Byte (LB#).

Features

• Drei Zustandsausgänge
• Datensteuerung für obere und untere Bytes