IS64WV25616EDBLL-10BLA3 | Integrated Silicon Solution INC
SRAM 4MBIT PAR 48TFBGA IS64WV25616EDBLL-10BLA3
Hochgeschwindigkeits-asynchroner CMOS-Statik-RAM, IS64WV25616EDBLL-10BLA3, Integrated Silicon Solution INC
Der IS64WV25616EDBLL-10BLA3 ist ein schneller statischer RAM-Speicher mit 4.194.304 Bit, der in 262.144 Wörter à 16 Bit organisiert ist. Er wird unter Verwendung der hochleistungsfähigen CMOS-Technologie von ISSI hergestellt. Dieser äußerst zuverlässige Prozess in Verbindung mit innovativen Schaltungsdesigntechniken führt zu einem leistungsstarken Gerät mit geringem Stromverbrauch. Wenn CE auf HIGH (deaktiviert) steht, wechselt das Gerät in einen Standby-Modus, in dem die Verlustleistung mit CMOS-Eingangspegeln reduziert werden kann. Eine einfache Speichererweiterung wird durch die Verwendung der Eingänge Chip Enable und Output Enable (CE und OE) ermöglicht. Der aktive LOW Write Enable (WE) steuert sowohl das Schreiben als auch das Lesen des Speichers. Ein Datenbyte ermöglicht den Zugriff auf das obere Byte (UB) und das untere Byte (LB).
Features
- Drei Zustandsausgänge
- Datensteuerung für obere und untere Bytes
- Temperaturunterstützung für Industrie und Automobilbau
- Fehlererkennung und Fehlerkorrektur
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Gehäuse | TFBGA-48 | |
| Montage | SMD | |
| Speichergröße | 4 Mbit | |
| Spannung | 2,4-3,6 V | |
| Zugriffszeit | 10 s | |
| Technologie | SRAM | |
| min. Temperatur | -40 °C | |
| max. Temperatur | 125 °C |
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Ursprungsland | TW |
| MSL | MSL 3 |
| Zolltarifnummer | 85423261 |
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |