Synchronous Flow-through Sram, IS64LF12836EC-7.5B3LA3, Integrated Silicon Solution INC
Das 4-MB-Produkt verfügt über einen schnellen, stromsparenden synchronen statischen RAM-Speicher, der für Kommunikations- und Netzwerkanwendungen als burstfähiger Hochleistungsspeicher ausgelegt ist. Der IS61(64)LF/VF12836EC ist in 131.072 Wörter à 36 Bit organisiert. Der IS61(64)LF/VF12832EC ist als 131.072 Wörter à 32 Bit organisiert. Der IS61(64)LF/VF25618EC ist als 262.144 Wörter à 18 Bit organisiert. Das mit der fortschrittlichen CMOS-Technologie von ISSI hergestellte Gerät integriert einen 2-Bit-Burst-Zähler, einen Hochgeschwindigkeits-SRAM-Kern und Ausgänge mit hoher Ansteuerungsleistung in einer einzigen monolithischen Schaltung. Alle synchronen Eingänge durchlaufen Register, die durch einen positiv flankengetriggerten Einzel-Takteingang gesteuert werden. Schreibzyklen sind intern selbstgetaktet und werden durch die steigende Flanke des Takteingangs ausgelöst. Schreibzyklen können je nach Steuerung durch die Schreibsteuerungseingänge eine Breite von einem bis vier Bytes haben. Separate Byte-Freigaben ermöglichen das Schreiben einzelner Bytes. Der Byte-Schreibvorgang wird unter Verwendung des Byte-Schreibfreigabe-Eingangs (/BWE) in Kombination mit einem oder mehreren einzelnen Byte-Schreibsignalen (/BWx) durchgeführt.
Features
- Interner selbstgesteuerter Schreibzyklus
- Individuelle Byte-Schreibsteuerung und globales Schreiben
- Uhrgesteuert, registrierte Adresse, Daten und Steuerung
- Burstsequenzsteuerung über MODE-Eingang
- Drei Chip-Freigabeoptionen für einfache Tiefenerweiterung und Adress-Pipelining
- Gängige Dateneingaben und Datenausgaben
- Automatische Abschaltung bei Deaktivierung
- Einzelzyklus-Abwahl
- Snooze-Modus für Standby mit reduziertem Stromverbrauch
