IS63WV1288DBLL-10TLI | Integrated Silicon Solution INC
SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II IS63WV1288DBLL-10TLI
Bestellnr.: 54S0548
HTN:
IS63WV1288DBLL-10TLI
Einzelpreis (€ / Stk.)
0,2506 € *
Standardlieferzeit ab Hersteller beträgt: 1 Woche
Hochgeschwindigkeits-CMOS-Statik-RAM, IS63WV1288DBLL-10TLI, Integrated Silicon Solution INC
Der IS63WV1288DBLL-10TLI ist ein sehr schneller, stromsparender statischer 8-Bit-CMOS-RAM mit einer Kapazität von 131.072 Wörtern. Der IS63/64WV1288DBLL wird unter Verwendung der hochleistungsfähigen CMOS-Technologie von ISSI hergestellt. Dieser äußerst zuverlässige Prozess in Verbindung mit innovativen Schaltungsdesigntechniken führt zu einer höheren Leistung und einem geringen Stromverbrauch des Bausteins. Wenn CE auf HIGH (deaktiviert) steht, wechselt der Baustein in einen Standby-Modus, in dem die Verlustleistung bei CMOS-Eingangspegeln auf 25 µW (typisch) reduziert werden kann.
Features
- Mehrere zentrale Strom- und Erdungsstifte für eine höhere Störfestigkeit
- Einfache Speichererweiterung mit CE- und OE-Optionen
- CE-Abschaltung
- TTL-kompatible Ein- und Ausgänge
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Gehäuse | SOIC-32 | |
| Montage | SMD | |
| Speichergröße | 1 Mbit | |
| Spannung | 2,4-3,6 V | |
| Zugriffszeit | 10 s | |
| Technologie | SRAM | |
| min. Temperatur | -40 °C | |
| max. Temperatur | 85 °C |
Download
Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Ursprungsland | CN |
| MSL | MSL 3 |
| Zolltarifnummer | 85423261 |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |