IS62WV51216HBLL-45B2LI | Integrated Silicon Solution INC

SRAM 8MBIT PAR IS62WV51216HBLL-45B2LI

Bestellnr.: 54S0462
HTN:
IS62WV51216HBLL-45B2LI
IS62WV51216HBLL-45B2LI Integrated Silicon Solution INC Speicher ICs
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Ultra Niedrige Leistung CMOS statischer RAM, IS62WV51216HBLL-45B2LI, Integrated Silicon Solution INC

Der IS62WV51216HBLL-45B2LI ist ein schneller, stromsparender 8-Mbit-Statik-RAM, der als 512 K Wörter à 16 Bit organisiert ist. Er wird unter Verwendung der hochleistungsfähigen CMOS-Technologie von ISSI hergestellt. Dieser äußerst zuverlässige Prozess in Verbindung mit innovativen Schaltungsdesigntechniken führt zu einem leistungsstarken Gerät mit geringem Stromverbrauch. Wenn CS1# HIGH (nicht ausgewählt) oder CS2 LOW (nicht ausgewählt) ist oder wenn CS1# LOW, CS2 HIGH und sowohl LB# als auch UB# HIGH sind, wechselt das Gerät in einen Standby-Modus, in dem die Verlustleistung mit CMOS-Eingangspegeln reduziert werden kann. Eine einfache Speichererweiterung wird durch die Verwendung von Chip-Enable- und Output-Enable-Eingängen ermöglicht. Das aktive LOW Write Enable (WE#) steuert sowohl das Schreiben als auch das Lesen des Speichers. Ein Datenbyte ermöglicht den Zugriff auf das obere Byte (UB#) und das untere Byte (LB#).

Features

  • CMOS-Betrieb mit geringem Stromverbrauch
  • TTL-kompatible Schnittstellenpegel
  • Drei Zustandsausgänge
  • Commercial, Temperaturunterstützung für Industrie und Automobilbau
Technische Daten
Filter Merkmal Wert
Gehäuse VFBGA-48
Montage SMD
Speichergröße 8 Mbit
Spannung 2,2-3,6 V
Zugriffszeit 45 s
Technologie SRAM
min. Temperatur -40 °C
max. Temperatur 85 °C
Logistik
Merkmal Wert
Ursprungsland CN
MSL MSL 3
Zolltarifnummer 85423261
Compliance
Merkmal Wert
RoHS konform Ja
Stand der RoHS-Richtlinie 31.03.15
SVHC frei Ja