IS62WV51216BLL-55BLI | Integrated Silicon Solution INC

SRAM 8MBIT PARALLEL 48MINIBGA IS62WV51216BLL-55BLI

Bestellnr.: 54S0314
HTN:
IS62WV51216BLL-55BLI
IS62WV51216BLL-55BLI Integrated Silicon Solution INC Speicher ICs
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Ultra Niedrige Leistung CMOS statischer RAM, IS62WV51216BLL-55BLI, Integrated Silicon Solution INC

Der IS62WV51216BLL-55BLI ist ein schneller statischer 8-Mbit-RAM, der in 512 K Wörter à 16 Bit organisiert ist. Er wird unter Verwendung der hochleistungsfähigen CMOS-Technologie von ISSI hergestellt. Dieser äußerst zuverlässige Prozess in Verbindung mit innovativen Schaltungsdesigntechniken führt zu einem leistungsstarken Gerät mit geringem Stromverbrauch. Wenn CS1 HIGH (nicht ausgewählt) oder CS2 LOW (nicht ausgewählt) ist oder wenn CS1 LOW, CS2 HIGH und sowohl LB als auch UB HIGH sind, wechselt das Gerät in einen Standby-Modus, in dem die Verlustleistung mit CMOS-Eingangspegeln reduziert werden kann. Eine einfache Speichererweiterung wird durch die Verwendung von Chip-Enable- und Output-Enable-Eingängen ermöglicht. Das aktive LOW Write Enable (WE) steuert sowohl das Schreiben als auch das Lesen des Speichers. Ein Datenbyte ermöglicht den Zugriff auf das obere Byte (UB) und das untere Byte (LB).

Features

  • CMOS-Betrieb mit geringem Stromverbrauch
  • TTL-kompatible Schnittstellenpegel
  • Drei Zustandsausgänge
  • Datensteuerung für obere und untere Bytes
Technische Daten
Filter Merkmal Wert
Gehäuse TFBGA-48
Montage SMD
Speichergröße 8 Mbit
Spannung 2,5-3,6 V
Zugriffszeit 55 s
Technologie SRAM
min. Temperatur -40 °C
max. Temperatur 85 °C
Logistik
Merkmal Wert
Ursprungsland CN
MSL MSL 3
Zolltarifnummer 85423261
Compliance
Merkmal Wert
RoHS konform Ja
Stand der RoHS-Richtlinie 31.03.15
SVHC frei Ja