Ultra Niedrige Leistung CMOS statischer RAM, IS62WV12816EALL-55BLI, Integrated Silicon Solution INC
Der IS62WV12816EALL-55BLI ist ein schneller statischer 2-Mbit-RAM, der in 128 K Wörter à 16 Bit organisiert ist. Er wird unter Verwendung der hochleistungsfähigen CMOS-Technologie von ISSI hergestellt. Dieser äußerst zuverlässige Prozess in Verbindung mit innovativen Schaltungsdesigntechniken führt zu einem leistungsstarken Gerät mit geringem Stromverbrauch. Wenn CS1# HIGH (nicht ausgewählt) oder CS2 LOW (nicht ausgewählt) ist oder wenn CS1# LOW, CS2 HIGH und sowohl LB# als auch UB# HIGH sind, wechselt das Gerät in einen Standby-Modus, in dem die Verlustleistung mit CMOS-Eingangspegeln reduziert werden kann. Eine einfache Speichererweiterung wird durch die Verwendung von Chip-Enable- und Output-Enable-Eingängen ermöglicht. Das aktive LOW Write Enable (WE#) steuert sowohl das Schreiben als auch das Lesen des Speichers. Ein Datenbyte ermöglicht den Zugriff auf das obere Byte (UB#) und das untere Byte (LB#).
Features
- CMOS-Betrieb mit geringem Stromverbrauch
- TTL-kompatible Schnittstellenpegel
- Drei Zustandsausgänge
- Temperaturunterstützung für Industrie und Automobilbau
