Hochgeschwindigkeits-asynchroner CMOS-Statik-RAM, IS61WV51216EDBLL-10BLI, Integrated Silicon Solution INC
Der IS61WV51216EDBLL-10BLI ist ein schneller, statischer 8-Mbit-RAM, der als 512K Wörter à 16 Bit organisiert ist. Er wird unter Verwendung der hochleistungsfähigen CMOS-Technologie von ISSI hergestellt. Dieser äußerst zuverlässige Prozess in Verbindung mit einer innovativen Schaltungsdesigntechnik sorgt für eine hohe Leistung und einen geringen Stromverbrauch des Bausteins. Wenn CE auf HIGH (deaktiviert) steht, wechselt der Baustein in einen Standby-Modus, in dem die Verlustleistung mit einem CMOS-Eingangspegel reduziert werden kann. Eine einfache Speichererweiterung wird durch die Verwendung der Eingänge Chip Enable und Output Enable (CE und OE) ermöglicht. Der aktive LOW Write Enable (WE) steuert sowohl das Schreiben als auch das Lesen des Speichers. Ein Datenbyte ermöglicht den Zugriff auf das obere Byte (UB) und das untere Byte (LB).
Features
- Hochleistungsfähiger CMOS-Prozess mit geringem Stromverbrauch
- Mehrere zentrale Strom- und Erdungsstifte für eine höhere Störfestigkeit
- TTL-kompatible Ein- und Ausgänge
- Datensteuerung für obere und untere Bytes
