IS61WV25616BLL-10TLI | Integrated Silicon Solution INC
DRAM, 4 Mbit, TSOP-44, Integrated Silicon Solution INC IS61WV25616BLL-10TLI
CMOS statisches RAM, IS61WV25616BLL-10TLI, ISSI
Der IS61WV25616BLL-10TLIist ein statischer Hochgeschwindigkeits-RAM mit 4.194.304 Bit, der als 262.144 Worte mit 16 Bit organisiert ist. Dieser äußerst zuverlässige Prozess in Verbindung mit innovativen Schaltungsentwurfstechniken führt zu leistungsstarken Geräten mit geringem Stromverbrauch. Wenn CE hoch ist (abgewählt), geht der Baustein in einen Standby-Modus über, in dem die Verlustleistung mit CMOS-Eingangspegeln reduziert werden kann. Eine einfache Speichererweiterung ist durch die Verwendung der Chip-Enable- und Output-Enable-Eingänge CE und OE möglich. Die aktive Low-Schreibfreigabe (WE) steuert sowohl das Schreiben als auch das Lesen des Speichers. Ein Datenbyte ermöglicht den Zugriff auf Upper Byte (UB) und Lower Byte (LB).
Features
- Vollkommen statischer Betrieb: kein Takt oder Refresh erforderlich
- Drei Statusausgänge
- Temperaturunterstützung für Industrie und Automotive
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| max. Temperatur | 85 °C | |
| Technologie | DRAM | |
| Montage | SMD | |
| Spannung | 2,4-3,6 V | |
| Speichergröße | 4 Mbit | |
| Zugriffszeit | 10 s | |
| Gehäuse | TSOP-44 | |
| min. Temperatur | -40 °C |
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Originalverpackung | Tray mit 135 Stück |
| Zolltarifnummer | 85423231 |
| MSL | MSL 3 |
| Ursprungsland | CN |
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |