IS61WV12816DBLL-10BLI | Integrated Silicon Solution INC

Hochgeschwindigkeits-asynchroner CMOS-Statik-RAM, IS61WV12816DBLL-10BLI, Integrated Silicon Solution INC

Der IS61WV12816DBLL-10BLI ist ein schneller statischer RAM-Speicher mit 2.097.152 Bit, der in 131.072 Wörter à 16 Bit organisiert ist. Er wird unter Verwendung der hochleistungsfähigen CMOS-Technologie von ISSI hergestellt. Dieser äußerst zuverlässige Prozess in Verbindung mit innovativen Schaltungsdesigntechniken führt zu einem Gerät mit hoher Leistung und geringem Stromverbrauch. Wenn CE auf HIGH (deaktiviert) steht, wechselt das Gerät in einen Standby-Modus, in dem die Verlustleistung mit CMOS-Eingangspegeln reduziert werden kann. Eine einfache Speichererweiterung wird durch die Verwendung der Eingänge Chip Enable und Output Enable (CE und OE) ermöglicht. Der aktive LOW Write Enable (WE) steuert sowohl das Schreiben als auch das Lesen des Speichers. Ein Datenbyte ermöglicht den Zugriff auf das obere Byte (UB) und das untere Byte (LB).

Features

• Drei Zustandsausgänge
• Datensteuerung für obere und untere Bytes
• Temperaturunterstützung für Industrie und Automobilbau