Hochgeschwindigkeits-asynchroner CMOS-Statik-RAM, IS61WV102416EDBLL-10T2LI, Integrated Silicon Solution INC
Der IS61WV102416EDBLL-10T2LI ist ein schneller, stromsparender 16-Mbit-Statik-RAM, der als 1 M Wörter à 16 Bit organisiert ist. Er wird mit der hochleistungsfähigen CMOS-Technologie von ISSI hergestellt und verfügt über eine ECC-Funktion zur Verbesserung der Zuverlässigkeit. Dieser äußerst zuverlässige Prozess in Verbindung mit innovativen Schaltungsdesigntechniken wie ECC (SEC-DED: Single Error Correcting-Double Error Detecting) ergibt ein leistungsstarkes und äußerst zuverlässiges Gerät. Wenn CS# auf HIGH (nicht ausgewählt) steht, wechselt das Gerät in einen Standby-Modus, in dem die Verlustleistung mit CMOS-Eingangspegeln reduziert werden kann. Eine einfache Speichererweiterung wird durch die Verwendung von Chip-Enable- und Output-Enable-Eingängen ermöglicht.
Features
- Drei Zustandsausgänge
- Temperaturunterstützung für Industrie und Automobilbau