IS61WV102416DBLL-10BLI | Integrated Silicon Solution INC

Hochgeschwindigkeits-asynchroner CMOS-Statik-RAM, IS61WV102416DBLL-10BLI, Integrated Silicon Solution INC

Der IS61WV102416DBLL-10BLI ist ein schneller statischer 16-Mbit-RAM, der in 1024K Wörter à 16 Bit organisiert ist. Er wird unter Verwendung der hochleistungsfähigen CMOS-Technologie von ISSI hergestellt. Dieser äußerst zuverlässige Prozess in Verbindung mit innovativen Schaltungsdesigntechniken ergibt ein leistungsstarkes Gerät mit geringem Stromverbrauch. Wenn CS# auf HIGH (nicht ausgewählt) steht, wechselt das Gerät in einen Standby-Modus, in dem die Verlustleistung mit CMOS-Eingangspegeln reduziert werden kann. Eine einfache Speichererweiterung wird durch die Verwendung von Chip-Enable- und Output-Enable-Eingängen ermöglicht. Das aktive LOW Write Enable (WE#) steuert sowohl das Schreiben als auch das Lesen des Speichers.

Features

• Hochleistungsfähiger CMOS-Prozess mit geringem Stromverbrauch
• Mehrere zentrale Strom- und Erdungsstifte für eine höhere Störfestigkeit
• TTL-kompatible Ein- und Ausgänge
• Datensteuerung für obere und untere Bytes