Hochgeschwindigkeits-asynchroner CMOS-Statik-RAM, IS61WV102416BLL-10MLI, Integrated Silicon Solution INC
Der IS61WV102416BLL-10MLI ist ein schneller, statischer 16-Mbit-RAM, der in 1024K Wörter à 16 Bit organisiert ist. Er wird unter Verwendung der hochleistungsfähigen CMOS-Technologie von ISSI hergestellt. Dieser äußerst zuverlässige Prozess in Verbindung mit innovativen Schaltungsdesigntechniken ergibt ein leistungsstarkes Gerät mit geringem Stromverbrauch. Wenn CE auf HIGH (deaktiviert) steht, wechselt das Gerät in einen Standby-Modus, in dem die Verlustleistung mit CMOS-Eingangspegeln reduziert werden kann. Eine einfache Speichererweiterung wird durch die Verwendung der Eingänge Chip Enable und Output Enable (CE und OE) ermöglicht. Der aktive LOW Write Enable (WE) steuert sowohl das Schreiben als auch das Lesen des Speichers. Ein Datenbyte ermöglicht den Zugriff auf das obere Byte (UB) und das untere Byte (LB).
Features
- Hochleistungsfähiger CMOS-Prozess mit geringem Stromverbrauch
- Mehrere zentrale Strom- und Erdungsstifte für eine höhere Störfestigkeit
- CE-Abschaltung
- TTL-kompatible Ein- und Ausgänge
- Datensteuerung für obere und untere Bytes
