IS61NLP102418B-200B3LI | Integrated Silicon Solution INC

SRAM 18MBIT PAR 165TFBGA IS61NLP102418B-200B3LI

Bestellnr.: 54S0476
HTN:
IS61NLP102418B-200B3LI
IS61NLP102418B-200B3LI Integrated Silicon Solution INC Speicher ICs
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Staatlicher Bus Synchroner SRAM, IS61NLP102418B-200B3LI, Integrated Silicon Solution INC

Das 18-MB-Gerät ist ein synchroner statischer RAM-Speicher mit hoher Geschwindigkeit und geringem Stromverbrauch, der für Netzwerk- und Kommunikationsanwendungen einen burstfähigen, leistungsstarken Speicher ohne Wartezustände bereitstellt. Das Gerät ist in 512 KB Wörter à 36 Bit organisiert und wird mit der fortschrittlichen CMOS-Technologie von ISSI hergestellt. Durch die Integration einer Funktion ohne Wartezustände entfallen Wartezyklen, wenn der Bus von Lesen auf Schreiben oder von Schreiben auf Lesen umschaltet. Dieses Gerät integriert einen 2-Bit-Burst-Zähler, einen Hochgeschwindigkeits-SRAM-Kern und Ausgänge mit hoher Ansteuerungsleistung in einer einzigen monolithischen Schaltung. Alle synchronen Eingänge durchlaufen Register, die durch einen positiv flankengetriggerten Einzel-Takteingang gesteuert werden. Der Betrieb kann unterbrochen und alle synchronen Eingänge ignoriert werden, wenn Clock Enable (/CKE) auf HIGH steht. In diesem Zustand behält das interne Gerät seine vorherigen Werte bei.

Features

  • Keine Wartezyklen zwischen Lesen und Schreiben
  • Individuelle Byte-Schreibsteuerung
  • Einzelner Lese-/Schreib-Steuerpin
  • Uhrgesteuert, registrierte Adresse, Daten und Steuerung
  • Drei Chips ermöglichen eine einfache Tiefenerweiterung und Adress-Pipelining
  • Power-Down-Modus
  • Gängige Dateneingaben und Datenausgaben
Technische Daten
Filter Merkmal Wert
Gehäuse TBGA-165
Montage SMD
Speichergröße 18 Mbit
Spannung 3,135-3,465 V
Zugriffszeit 3 s
Taktfrequenz 200 MHz
Technologie SRAM
min. Temperatur -40 °C
max. Temperatur 85 °C
Logistik
Merkmal Wert
Ursprungsland CN
MSL MSL 3
Zolltarifnummer 85423261
Compliance
Merkmal Wert
RoHS konform Ja
Stand der RoHS-Richtlinie 31.03.15
SVHC frei Ja