IS61LV25616AL-10BLI | Integrated Silicon Solution INC

Hochgeschwindigkeits-asynchroner CMOS-Statik-RAM, IS61LV25616AL-10BLI, Integrated Silicon Solution INC

Der IS61LV25616AL-10BLI ist ein schneller statischer RAM-Speicher mit 4.194.304 Bit, der in 262.144 Wörter à 16 Bit organisiert ist. Er wird unter Verwendung der hochleistungsfähigen CMOS-Technologie von ISSI hergestellt. Dieser äußerst zuverlässige Prozess in Verbindung mit innovativen Schaltungsdesigntechniken führt zu einem leistungsstarken Gerät mit geringem Stromverbrauch. Wenn CE auf HIGH (deaktiviert) steht, wechselt das Gerät in einen Standby-Modus, in dem die Verlustleistung mit CMOS-Eingangspegeln reduziert werden kann. Eine einfache Speichererweiterung wird durch die Verwendung der Chip-Enable- und Output-Enable-Eingänge CE und OE ermöglicht. Das aktive LOW Write Enable (WE) steuert sowohl das Schreiben als auch das Lesen des Speichers. Ein Datenbyte ermöglicht den Zugriff auf das obere Byte (UB) und das untere Byte (LB).

Features

• CMOS-Betrieb mit geringem Stromverbrauch
• TTL-kompatible Schnittstellenpegel
• Drei Zustandsausgänge
• Datensteuerung für obere und untere Bytes