IS61LPS12836A-200TQLI | Integrated Silicon Solution INC

SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP IS61LPS12836A-200TQLI

Bestellnr.: 54S0466
HTN:
IS61LPS12836A-200TQLI
IS61LPS12836A-200TQLI Integrated Silicon Solution INC Speicher ICs
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Synchroner Pipeline-Einzelzyklus-Deselect-Statik-RAM, IS61LPS12836A-200TQLI, Integrated Silicon Solution INC

Der IS61LPS12836A-200TQLI ist ein schneller, stromsparender synchroner statischer RAM, der für Burst-fähigen Hochleistungsspeicher für Kommunikations- und Netzwerkanwendungen entwickelt wurde. Das Gerät ist in 131.072 Wörter à 32 Bit organisiert. Es wurde mit der fortschrittlichen CMOS-Technologie von ISSI hergestellt und integriert einen 2-Bit-Burst-Zähler, einen schnellen SRAM-Kern und Ausgänge mit hoher Ansteuerungsleistung in einem einzigen monolithischen Schaltkreis. Alle synchronen Eingänge durchlaufen Register, die durch einen positiv flankengetriggerten Einzel-Takteingang gesteuert werden. Schreibzyklen sind intern selbstgetaktet und werden durch die steigende Flanke des Takteingangs ausgelöst. Schreibzyklen können eine Breite von einem bis vier Bytes haben, je nach Steuerung durch die Schreibsteuerungseingänge.

Features

  • Interner selbstgesteuerter Schreibzyklus
  • Individuelle Byte-Schreibsteuerung und globales Schreiben
  • Uhrgesteuert, registrierte Adresse, Daten und Steuerung
  • Burstsequenzsteuerung über MODE-Eingang
  • Drei Chip-Freigabeoptionen für einfache Tiefenerweiterung und Adress-Pipelining
  • Gängige Dateneingaben und Datenausgaben
  • Automatische Abschaltung bei Deaktivierung
  • Einzelzyklus-Abwahl
  • Snooze-Modus für Standby mit reduziertem Stromverbrauch
Technische Daten
Filter Merkmal Wert
Gehäuse LQFP-100
Montage SMD
Speichergröße 4,5 Mbit
Spannung 3,135-3,465 V
Zugriffszeit 3.1 s
Taktfrequenz 200 MHz
Technologie SRAM
min. Temperatur -40 °C
max. Temperatur 85 °C
Logistik
Merkmal Wert
Ursprungsland CN
MSL MSL 3
Zolltarifnummer 85423261
Compliance
Merkmal Wert
RoHS konform Ja
Stand der RoHS-Richtlinie 31.03.15
SVHC frei Ja