IS61C256AL-12JLI-TR | Integrated Silicon Solution INC
SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ IS61C256AL-12JLI-TR
Hochgeschwindigkeits-CMOS-Statik-RAM, IS61C256AL-12JLI-TR, Integrated Silicon Solution INC
Der IS61C256AL-12JLI-TR ist ein sehr schneller, stromsparender statischer RAM mit 32.768 Wörtern à 8 Bit. Er wird unter Verwendung der hochleistungsfähigen CMOS-Technologie von ISSI hergestellt. Dieser äußerst zuverlässige Prozess in Verbindung mit innovativen Schaltungsdesigntechniken ermöglicht Zugriffszeiten von maximal 10 ns. Wenn CE auf HIGH (deaktiviert) steht, wechselt das Gerät in einen Standby-Modus, in dem die Verlustleistung bei CMOS-Eingangspegeln auf 150 µW (typisch) reduziert werden kann. Eine einfache Speichererweiterung wird durch einen aktiven LOW-Chip-Enable-Eingang (CE) und einen aktiven LOW-Output-Enable-Eingang (OE) ermöglicht. Der aktive LOW-Write-Enable (WE) steuert sowohl das Schreiben als auch das Lesen des Speichers.
Features
- Geringe Standby-Leistung
- Vollständig statischer Betrieb: keine Taktung oder Auffrischung erforderlich
- TTL-kompatible Ein- und Ausgänge
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Gehäuse | BSOJ-28 | |
| Montage | SMD | |
| Speichergröße | 256 Kbit | |
| Spannung | 4,5-5,5 V | |
| Zugriffszeit | 12 s | |
| Technologie | SRAM | |
| min. Temperatur | -40 °C | |
| max. Temperatur | 85 °C |
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Zolltarifnummer | 85423261 |
| Ursprungsland | TW |
| MSL | MSL 3 |
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| RoHS konform | Ja |
| SVHC frei | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
