IS49RL36160A-107EBLI | Integrated Silicon Solution INC
DRAM, 576 Mbit, LBGA-168, Integrated Silicon Solution INC IS49RL36160A-107EBLI
Bestellnr.: 54S0438
HTN:
IS49RL36160A-107EBLI
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SDRAM, IS49RL36160A-107EBLI, Integrated Silicon Solution INC
Der IS49RL36160A-107EBLI ist ein Hochgeschwindigkeitsspeichergerät, das für die Datenspeicherung mit hoher Bandbreite entwickelt wurde - Telekommunikation, Netzwerke, Cache-Anwendungen usw. Die 16-Bank-Architektur des Chips ist für einen nachhaltigen Hochgeschwindigkeitsbetrieb optimiert. Die DDR-I/O-Schnittstelle überträgt zwei Datenbits pro Taktzyklus an den I/O-Balls. Die Ausgabedaten werden auf die READ-Strobes bezogen. Befehle, Adressen und Steuersignale werden ebenfalls bei jeder positiven Flanke des differentiellen Eingangstaktes registriert, während Eingabedaten sowohl bei positiven als auch bei negativen Flanken der Eingabedaten-Strobes registriert werden.
Features
- Programmierbare Lese-/Schreib-Latenz (RL/WL) und Burst-Länge
- Datenmaske für WRITE-Befehle
- Differenzielle Eingangstaktgeber
- Freilaufende Differenzeingangs-Datentakte
- Integrierte On-Die-Terminierung (ODT)
- Multiplexierte und nicht multiplexierte Adressierungsfunktionen
- Spiegelfunktion
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Gehäuse | LBGA-168 | |
| Montage | SMD | |
| Speichergröße | 576 Mbit | |
| Spannung | 1,28-1,42 V | |
| Zugriffszeit | 7.5 s | |
| Taktfrequenz | 933 MHz | |
| Technologie | RLDRAM 3 | |
| min. Temperatur | -40 °C | |
| max. Temperatur | 95 °C |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Ursprungsland | TW |
| Zolltarifnummer | 85423261 |
| MSL | MSL 3 |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |