IS46QR16256B-083RBLA2 | Integrated Silicon Solution INC

DRAM, 4 Gbit, TFBGA-96, Integrated Silicon Solution INC IS46QR16256B-083RBLA2

Bestellnr.: 54S0804
HTN:
IS46QR16256B-083RBLA2
IS46QR16256B-083RBLA2 Integrated Silicon Solution INC Speicher ICs
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SDRAM, IS46QR16256B-083RBLA2, Integrated Silicon Solution INC

Der Speichercontroller initiiert den Leveling-Modus aller DRAMs, indem er Bit 7 von MR1 auf 1 setzt. Beim Eintritt in den Write-Leveling-Modus befinden sich die DQ-Pins im undefinierten Ansteuerungsmodus. Während des Schreibausgleichsmodus werden nur der DESELECT-Befehl sowie ein MRS-Befehl zum Ändern des Qoī-Bits (MR1[A12]) und ein MRS-Befehl zum Beenden des Schreibausgleichs (MR1[A7]) unterstützt. Beim Beenden des Leveling-Modus kann der MRS-Befehl, der das Beenden ausführt (MR1[A7] = 0), auch die anderen MR1-Bits ändern. Da der Controller jeweils einen Rang ausgleicht, muss die Ausgabe der anderen Ränge durch Setzen des MR1-Bits A12 auf 1 deaktiviert werden. Der Controller kann ODT nach tMOD aktivieren, zu diesem Zeitpunkt ist der DRAM bereit, das ODT-Signal zu empfangen.

Features

  • Datenintegrität
  • DRAM-Zugriffsbandbreite
  • Selbstaktualisierung Abort
  • Aktualisierung mit feiner Granularität
  • Signalsynchronisation
  • Signalintegrität
  • Energieeinsparung und Effizienz
Technische Daten
Filter Merkmal Wert
Gehäuse TFBGA-96
Montage SMD
Speichergröße 4 Gbit
Spannung 1,14-1,26 V
Zugriffszeit 19 s
Taktfrequenz 1200 MHz
Technologie SDRAM
min. Temperatur -40 °C
max. Temperatur 105 °C
Logistik
Merkmal Wert
Ursprungsland TW
MSL MSL 3
Zolltarifnummer 85423261
Compliance
Merkmal Wert
RoHS konform Ja
Stand der RoHS-Richtlinie 31.03.15
SVHC frei Ja