IS46LQ16512B-053BLA2 | Integrated Silicon Solution INC

SDRAM, 8 Gbit, TFBGA-200, Integrated Silicon Solution INC IS46LQ16512B-053BLA2

Bestellnr.: 54S0820
HTN:
IS46LQ16512B-053BLA2
IS46LQ16512B-053BLA2 Integrated Silicon Solution INC Speicher ICs
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SDRAM, IS46LQ16512B-053BLA2, Integrated Silicon Solution INC

Der IS46LQ16512B-053BLA2 ist ein 8-Gbit-CMOS-LPDDR4-SDRAM. Das Gerät ist als 1 Kanal organisiert, wobei der Kanal aus 8 Bänken und 16 Bit besteht. Dieses Produkt nutzt eine Double Data Rate-Architektur, um einen Hochgeschwindigkeitsbetrieb zu erreichen. Die Double Data Rate-Architektur ist im Wesentlichen eine 16N-Prefetch-Architektur mit einer Schnittstelle, die für die Übertragung von zwei Datenwörtern pro Taktzyklus an den I/O-Pins ausgelegt ist. Dieses Produkt bietet vollständig synchrone Operationen, die sich sowohl auf die steigenden als auch auf die fallenden Flanken des Takts beziehen. Die Datenpfade sind intern gepipelinert und 16n Bits werden vorab abgerufen, um eine sehr hohe Bandbreite zu erreichen.

Features

  • Befehls-/Adressbus mit einfacher Datenrate (mehrere Zyklen)
  • Bidirektionaler/Differential-Daten-Strobe pro Datenbyte
  • Programmierbare und spontane Burst-Längen
  • Stoppuhrfunktion
Technische Daten
Filter Merkmal Wert
Gehäuse TFBGA-200
Montage SMD
Speichergröße 8 Gbit
Spannung 1,06-1,17 V
Zugriffszeit 3.5 s
Taktfrequenz 1866 MHz
Technologie SDRAM
min. Temperatur -40 °C
max. Temperatur 105 °C
Logistik
Merkmal Wert
Ursprungsland CN
MSL MSL 3
Zolltarifnummer 85423261
Compliance
Merkmal Wert
RoHS konform Ja
Stand der RoHS-Richtlinie 31.03.15
SVHC frei Ja