IS43TR16128DL-107MBLI | Integrated Silicon Solution INC

SDRAM, IS43TR16128DL-107MBLI, Integrated Silicon Solution INC

Der Speichercontroller initiiert den Leveling-Modus aller DRAMs, indem er Bit 7 von MR1 auf 1 setzt. Beim Eintritt in den Write-Leveling-Modus befinden sich die DQ-Pins im undefinierten Ansteuerungsmodus. Während des Write-Leveling-Modus sind nur NOP- oder DESELECT-Befehle sowie ein MRS-Befehl zum Beenden des Write-Leveling-Modus zulässig. Da der Controller jeweils einen Rang nach dem anderen ausgleicht, muss die Ausgabe der anderen Ränge durch Setzen von MR1-Bit A12 auf 1 deaktiviert werden. Der Controller kann ODT nach tMOD aktivieren. Zu diesem Zeitpunkt ist der DRAM bereit, das ODT-Signal zu empfangen. Der Controller kann DQS nach einer Verzögerung von tWLDQSEN auf Low und DQS# auf High setzen. Zu diesem Zeitpunkt hat der DRAM eine On-Die-Terminierung auf diese Signale angewendet. Nach tDQSL und tWLMRD liefert der Controller eine einzelne DQS-, DQS#-Flanke, die vom DRAM zum Abtasten von CK - CK# verwendet wird, die vom Controller angesteuert werden. Das tWLMRD(max)-Timing ist vom Controller abhängig.

Features

• Hohe Datenübertragungsraten mit einer Systemfrequenz von bis zu 1066 MHz
• 8 interne Bänke für den gleichzeitigen Betrieb
• Programmierbare CAS-Latenz
• Programmierbare CAS-Schreiblatenz (CWL) basierend auf tCK
• BL-Schalter im laufenden Betrieb
• Auto Selbstaktualisierung(ASR)
• Selbstaktualisierung Temperature (SRT)
• Partial Array Selbstaktualisierung