IS43QR8K02S2A-083TBL | Integrated Silicon Solution INC
DRAM, 16 Gbit, LFBGA-78, Integrated Silicon Solution INC IS43QR8K02S2A-083TBL
NCNR (nicht stornierbar / nicht retournierbar)
SDRAM, IS43QR8K02S2A-083TBL, Integrated Silicon Solution INC
Dieser 16-Gbit-DDR4-SDRAM ist ein schneller dynamischer Direktzugriffsspeicher, der in zwei Ranks organisiert ist. Jeder Rank verfügt über 4 Bankgruppen mit jeweils 4 Bänken. Der DDR4-SDRAM nutzt eine 8n-Prefetch-Architektur, um einen schnellen Betrieb zu erreichen. Die 8n-Prefetch-Architektur wird mit einer Schnittstelle kombiniert, die so ausgelegt ist, dass pro Taktzyklus zwei Datenwörter an den E/A-Pins übertragen werden. Ein einzelner Lese- oder Schreibvorgang für den DDR4-SDRAM besteht aus einer einzigen 8n-Bit-breiten Datenübertragung mit vier Takten am internen DRAM-Kern und acht entsprechenden n-Bit-breiten Datenübertragungen mit einem halben Taktzyklus an den E/A-Pins.
Features
- Datenintegrität
- DRAM-Zugriffsbandbreite
- Selbstaktualisierung Abort
- Aktualisierung mit feiner Granularität
- Signalsynchronisation
- Signalintegrität
- Energieeinsparung und Effizienz
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Gehäuse | LFBGA-78 | |
| Montage | SMD | |
| Speichergröße | 16 Gbit | |
| Spannung | 1,14-1,26 V | |
| Zugriffszeit | 18 s | |
| Taktfrequenz | 1200 MHz | |
| Technologie | SDRAM | |
| min. Temperatur | 0 °C | |
| max. Temperatur | 90 °C |
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Ursprungsland | TW |
| Zolltarifnummer | 85423261 |
| MSL | MSL 3 |
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |