IS43QR16512A-083TBL | Integrated Silicon Solution INC
DRAM, 8 Gbit, TFBGA-96, Integrated Silicon Solution INC IS43QR16512A-083TBL
SDRAM, IS43QR16512A-083TBL, Integrated Silicon Solution INC
Dieser 8-Gbit-DDR4-SDRAM ist ein schneller dynamischer Direktzugriffsspeicher, der intern in acht Bänke unterteilt ist (2 Bankgruppen mit jeweils 4 Bänken für x16 und 4 Bankgruppen mit jeweils 4 Bänken für x8). Der DDR4-SDRAM nutzt eine 8n-Prefetch-Architektur, um einen schnellen Betrieb zu erreichen. Die 8n-Prefetch-Architektur wird mit einer Schnittstelle kombiniert, die für die Übertragung von zwei Datenwörtern pro Taktzyklus an den E/A-Pins ausgelegt ist. Ein einzelner Lese- oder Schreibvorgang für den DDR4-SDRAM besteht aus einer einzelnen 8n-Bit-breiten Datenübertragung mit vier Takten am internen DRAM-Kern und acht entsprechenden n-Bit-breiten Datenübertragungen mit einem halben Taktzyklus an den E/A-Pins.
Features
- Datenintegrität
- DRAM-Zugriffsbandbreite
- Selbstaktualisierung Abort
- Aktualisierung mit feiner Granularität
- Signalsynchronisation
- Signalintegrität
- Energieeinsparung und Effizienz
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Gehäuse | TFBGA-96 | |
| Montage | SMD | |
| Speichergröße | 8 Gbit | |
| Spannung | 1,14-1,26 V | |
| Zugriffszeit | 19 s | |
| Taktfrequenz | 1200 MHz | |
| Technologie | SDRAM | |
| min. Temperatur | 0 °C | |
| max. Temperatur | 85 °C |
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Ursprungsland | TW |
| MSL | MSL 3 |
| Zolltarifnummer | 85423261 |
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |