IS43QR16512A-075VBL | Integrated Silicon Solution INC

DRAM, 8 Gbit, TFBGA-96, Integrated Silicon Solution INC IS43QR16512A-075VBL

Bestellnr.: 54S0818
HTN:
IS43QR16512A-075VBL
IS43QR16512A-075VBL Integrated Silicon Solution INC Speicher ICs
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SDRAM, IS43QR16512A-075VBL, Integrated Silicon Solution INC

Dieser 8-Gbit-DDR4-SDRAM ist ein schneller dynamischer Direktzugriffsspeicher, der intern in acht Bänke unterteilt ist (2 Bankgruppen mit jeweils 4 Bänken für x16 und 4 Bankgruppen mit jeweils 4 Bänken für x8). Der DDR4-SDRAM nutzt eine 8n-Prefetch-Architektur, um einen schnellen Betrieb zu erreichen. Die 8n-Prefetch-Architektur wird mit einer Schnittstelle kombiniert, die für die Übertragung von zwei Datenwörtern pro Taktzyklus an den E/A-Pins ausgelegt ist. Ein einzelner Lese- oder Schreibvorgang für den DDR4-SDRAM besteht aus einer einzelnen 8n-Bit-breiten Datenübertragung mit vier Takten am internen DRAM-Kern und acht entsprechenden n-Bit-breiten Datenübertragungen mit einem halben Taktzyklus an den E/A-Pins.

Features

  • Datenintegrität
  • DRAM-Zugriffsbandbreite
  • Selbstaktualisierung Abort
  • Aktualisierung mit feiner Granularität
  • Signalsynchronisation
  • Signalintegrität
  • Energieeinsparung und Effizienz
Technische Daten
Filter Merkmal Wert
Gehäuse TFBGA-96
Montage SMD
Speichergröße 8 Gbit
Spannung 1,14-1,26 V
Zugriffszeit 18 s
Taktfrequenz 1333 MHz
Technologie SDRAM
min. Temperatur 0 °C
max. Temperatur 95 °C
Logistik
Merkmal Wert
Ursprungsland TW
MSL MSL 3
Zolltarifnummer 85423261
Compliance
Merkmal Wert
RoHS konform Ja
Stand der RoHS-Richtlinie 31.03.15
SVHC frei Ja