SDRAM, IS43QR16256B-083RBLI, Integrated Silicon Solution INC
Der DDR4-SDRAM ist ein schneller dynamischer Direktzugriffsspeicher, der intern in acht Bänken (2 Bankgruppen mit jeweils 4 Bänken) organisiert ist. Der DDR4-SDRAM verwendet eine 8n-Prefetch-Architektur, um einen schnellen Betrieb zu erreichen. Die 8n-Prefetch-Architektur wird mit einer Schnittstelle kombiniert, die für die Übertragung von zwei Datenwörtern pro Taktzyklus an den E/A-Pins ausgelegt ist. Ein einzelner Lese- oder Schreibvorgang für den DDR4-SDRAM besteht aus einer einzelnen 8n-Bit-breiten Datenübertragung mit vier Takten am internen DRAM-Kern und acht entsprechenden n-Bit-breiten Datenübertragungen mit einem halben Taktzyklus an den E/A-Pins. Lese- und Schreibvorgänge zum DDR4-SDRAM sind burstorientiert, beginnen an einer ausgewählten Stelle und werden für eine Burstlänge von acht oder einen „zerhackten” Burst von vier in einer programmierten Sequenz fortgesetzt. Der Vorgang beginnt mit der Registrierung eines ACTIVATE-Befehls, auf den ein Lese- oder Schreibbefehl folgt. Die gleichzeitig mit dem ACTIVATE-Befehl registrierten Adressbits werden verwendet, um die zu aktivierende Bank und Zeile auszuwählen.
Features
- Datenintegrität
- DRAM-Zugriffsbandbreite
- Selbstaktualisierung Abort
- Aktualisierung mit feiner Granularität
- Signalsynchronisation
- Signalintegrität
- Energieeinsparung und Effizienz
