IS43LR32800G-6BLI | Integrated Silicon Solution INC

DRAM, 256 Mbit, TFBGA-90, Integrated Silicon Solution INC IS43LR32800G-6BLI

Bestellnr.: 54S0744
HTN:
IS43LR32800G-6BLI
IS43LR32800G-6BLI Integrated Silicon Solution INC Speicher ICs Bild 1
IS43LR32800G-6BLI Integrated Silicon Solution INC Speicher ICs Bild 2
Abbildung kann abweichen
Einzelpreis (€ / Stk.)
9,2449 € *
Standardlieferzeit ab Hersteller beträgt: 1 Woche
Gesamtpreis:
9,24 € *
*inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten
Zwischenverkauf vorbehalten
1 Stk.
9,2449 €

Mobile DDR SDRAM, IS43LR32800G-6BLI, Integrated Silicon Solution INC

Der IS43LR32800G-6BLI ist ein CMOS-Mobile-Double-Data-Rate-Synchronous-DRAM mit 268.435.456 Bit, organisiert in 4 Bänken mit 2.097.152 Wörtern à 32 Bit. Dieses Produkt nutzt eine Double-Data-Rate-Architektur, um einen Hochgeschwindigkeitsbetrieb zu erreichen. Die Daten-Ein-/Ausgangssignale werden über einen 32-Bit-Bus übertragen. Die Double Data Rate-Architektur ist im Wesentlichen eine 2N-Prefetch-Architektur mit einer Schnittstelle, die für die Übertragung von zwei Datenwörtern pro Taktzyklus an den E/A-Pins ausgelegt ist. Dieses Produkt bietet einen vollständig synchronen Betrieb, der sich sowohl auf die steigenden als auch auf die fallenden Flanken des Takts bezieht. Die Datenpfade sind intern gepipelinert und werden mit 2n-Bits vorab abgerufen, um eine sehr hohe Bandbreite zu erreichen. Alle Eingangs- und Ausgangsspannungspegel sind mit LVCMOS kompatibel.

Features

  • Vier interne Bänke für den gleichzeitigen Betrieb
  • Alle Eingänge außer Daten und DM werden an der steigenden Flanke des Systemtakts abgetastet
  • Daten-E/A-Transaktion an beiden Flanken des Daten-Strobes
  • Bidirektionaler Datenimpuls pro Datenbyte
  • Kantenausgerichtete Daten- und Daten-Strobe-Ausgabe
  • Zentriert ausgerichtete Daten und Daten-Strobe-Eingang
  • Auto & Selbstaktualisierung
  • Gleichzeitige automatische Vorladung
Technische Daten
Filter Merkmal Wert
Gehäuse TFBGA-90
Montage SMD
Speichergröße 256 Mbit
Spannung 1,7-1,95 V
Zugriffszeit 5.5 s
Taktfrequenz 166 MHz
Technologie SDRAM
min. Temperatur -40 °C
max. Temperatur 85 °C
Logistik
Merkmal Wert
Ursprungsland TW
MSL MSL 3
Zolltarifnummer 85423261
Compliance
Merkmal Wert
RoHS konform Ja
Stand der RoHS-Richtlinie 31.03.15
SVHC frei Ja