IS43LQ32256B-062BLI | Integrated Silicon Solution INC
DRAM, 8 Gbit, TFBGA-200, Integrated Silicon Solution INC IS43LQ32256B-062BLI
Bestellnr.: 54S0344
HTN:
IS43LQ32256B-062BLI
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SDRAM, IS43LQ32256B-062BLI, Integrated Silicon Solution INC
Der IS43LQ32256B-062BLI ist ein 8-Gbit-CMOS-LPDDR4-SDRAM. Das Gerät ist mit 2 Kanälen pro Gerät organisiert, wobei jeder Kanal über 8 Bänke und 16 Bit verfügt. Dieses Produkt nutzt eine Double-Data-Rate-Architektur, um einen Hochgeschwindigkeitsbetrieb zu erreichen. Die Double Data Rate-Architektur ist im Wesentlichen eine 16N-Prefetch-Architektur mit einer Schnittstelle, die so ausgelegt ist, dass pro Taktzyklus ein Datenwort am I/O-Pin übertragen wird. Dieses Produkt bietet einen vollständig synchronen Betrieb, der sowohl auf die steigende als auch auf die fallende Flanke des Takts referenziert ist. Der Datenpfad ist intern pipeliniert und 16n Bit prefetched, um eine sehr hohe Bandbreite zu erreichen.
Features
- Befehls-/Adressbus mit einfacher Datenrate (mehrere Zyklen)
- Bidirektionaler/Differential-Daten-Strobe pro Datenbyte
- Stoppuhrfunktion
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Gehäuse | TFBGA-200 | |
| Montage | SMD | |
| Speichergröße | 8 Gbit | |
| Spannung | 1,06-1,17 V | |
| Taktfrequenz | 1600 MHz | |
| Technologie | SDRAM | |
| min. Temperatur | -40 °C | |
| max. Temperatur | 95 °C |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Ursprungsland | CN |
| MSL | MSL 3 |
| Zolltarifnummer | 85423261 |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |