IS43LQ16512B-053BLI | Integrated Silicon Solution INC
SDRAM, 8 Gbit, TFBGA-200, Integrated Silicon Solution INC IS43LQ16512B-053BLI
Bestellnr.: 54S0968
HTN:
IS43LQ16512B-053BLI
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SDRAM, IS43LQ16512B-053BLI, Integrated Silicon Solution INC
Der IS43LQ16512B-053BLI ist ein 8-Gbit-CMOS-LPDDR4-SDRAM. Das Gerät ist als 1 Kanal organisiert, wobei der Kanal aus 8 Bänken und 16 Bit besteht. Dieses Produkt nutzt eine Double Data Rate-Architektur, um einen Hochgeschwindigkeitsbetrieb zu erreichen. Die Double Data Rate-Architektur ist im Wesentlichen eine 16N-Prefetch-Architektur mit einer Schnittstelle, die für die Übertragung von zwei Datenwörtern pro Taktzyklus an den I/O-Pins ausgelegt ist. Dieses Produkt bietet vollständig synchrone Operationen, die sich sowohl auf die steigenden als auch auf die fallenden Flanken des Takts beziehen. Die Datenpfade sind intern gepipelinert und 16n Bits werden vorab abgerufen, um eine sehr hohe Bandbreite zu erreichen.
Features
- Befehls-/Adressbus mit einfacher Datenrate (mehrere Zyklen)
- Bidirektionaler/Differential-Daten-Strobe pro Datenbyte
- Stoppuhrfunktion
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Gehäuse | TFBGA-200 | |
| Montage | SMD | |
| Speichergröße | 8 Gbit | |
| Spannung | 1,06-1,17 V | |
| Zugriffszeit | 3.5 s | |
| Taktfrequenz | 1866 MHz | |
| Technologie | SDRAM | |
| min. Temperatur | -40 °C | |
| max. Temperatur | 95 °C |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Ursprungsland | CN |
| MSL | MSL 3 |
| Zolltarifnummer | 85423261 |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |