IS43LD16640C-25BLI | Integrated Silicon Solution INC

DRAM, 1 Gbit, TFBGA-134, Integrated Silicon Solution INC IS43LD16640C-25BLI

Bestellnr.: 54S0426
HTN:
IS43LD16640C-25BLI
IS43LD16640C-25BLI Integrated Silicon Solution INC Speicher ICs
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SDRAM, IS43LD16640C-25BLI, Integrated Silicon Solution INC

Der IS43LD16640C-25BLI ist ein 1-Gbit-CMOS-LPDDR2-DRAM. Das Gerät ist in 8 Bänken mit 8 Megabyte 16-Bit-Wörtern oder 4 Megabyte 32-Bit-Wörtern organisiert. Dieses Produkt nutzt eine Double-Data-Rate-Architektur, um einen Hochgeschwindigkeitsbetrieb zu erreichen. Die Double-Data-Rate-Architektur ist im Wesentlichen eine 4N-Prefetch-Architektur mit einer Schnittstelle, die so ausgelegt ist, dass pro Taktzyklus zwei Datenwörter an den E/A-Pins übertragen werden. Dieses Produkt bietet vollständig synchrone Operationen, die sich sowohl auf die steigenden als auch auf die fallenden Flanken des Takts beziehen. Die Datenpfade sind intern gepipelinert und 4n Bits werden vorab abgerufen, um eine sehr hohe Bandbreite zu erreichen.

Features

  • Multiplexierte Befehls-/Adress-Eingänge mit doppelter Datenrate
  • Acht interne Bänke für den parallelen Betrieb
  • Bidirektionaler/Differential-Daten-Strobe pro Datenbyte
  • On-Chip-Temperatursensor zur Steuerung der Selbstaktualisierungsrate
  • Partial -array Selbstaktualisierung
  • Tiefschlafmodus
Technische Daten
Filter Merkmal Wert
Gehäuse TFBGA-134
Montage SMD
Speichergröße 1 Gbit
Spannung 1,14-1,95 V
Taktfrequenz 400 MHz
Technologie SDRAM
min. Temperatur -40 °C
max. Temperatur 85 °C
Logistik
Merkmal Wert
Ursprungsland TW
MSL MSL 3
Zolltarifnummer 85423261
Compliance
Merkmal Wert
RoHS konform Ja
Stand der RoHS-Richtlinie 31.03.15
SVHC frei Ja