IS43DR86400E-25DBL | Integrated Silicon Solution INC
DRAM, 512 Mbit, TFBGA-60, Integrated Silicon Solution INC IS43DR86400E-25DBL
Bestellnr.: 54S0446
HTN:
IS43DR86400E-25DBL
Einzelpreis (€ / Stk.)
3,9263 € *
Standardlieferzeit ab Hersteller beträgt: 1 Woche
SDRAM, IS43DR86400E-25DBL, Integrated Silicon Solution INC
Der 512-MB-DDR2-SDRAM von ISSI nutzt eine Double-Data-Rate-Architektur, um einen Hochgeschwindigkeitsbetrieb zu erreichen. Die Double-Data-Rate-Architektur ist im Wesentlichen eine 4n-Prefetch-Architektur mit einer Schnittstelle, die so ausgelegt ist, dass pro Taktzyklus zwei Datenwörter an den I/O-Balls übertragen werden.
Features
- Doppelte Datenübertragungsrate: zwei Datenübertragungen pro Taktzyklus
- Differential-Daten-Strobe (DQS, DQS)
- 4-Bit-Prefetch-Architektur
- 4 interne Bänke für den gleichzeitigen Betrieb
- Veröffentlicht CAS und programmierbare additive Latenz
- Einstellbare Datenausgangsstärke, Optionen für volle und reduzierte Stärke
- On-Die-Terminierung (ODT)
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Gehäuse | TFBGA-60 | |
| Montage | SMD | |
| Speichergröße | 512 Mbit | |
| Spannung | 1,7-1,9 V | |
| Zugriffszeit | 0.4 s | |
| Taktfrequenz | 400 MHz | |
| Technologie | SDRAM | |
| min. Temperatur | 0 °C | |
| max. Temperatur | 85 °C |
Download
Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Ursprungsland | CN |
| MSL | MSL 3 |
| Zolltarifnummer | 85423261 |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |