IS43DR16320E-3DBL | Integrated Silicon Solution INC
DRAM, 512 Mbit, TFBGA-84, Integrated Silicon Solution INC IS43DR16320E-3DBL
Bestellnr.: 54S0364
HTN:
IS43DR16320E-3DBL
Einzelpreis (€ / Stk.)
3,7174 € *
Standardlieferzeit ab Hersteller beträgt: 1 Woche
SDRAM, IS43DR16320E-3DBL, Integrated Silicon Solution INC
Der 512-MB-DDR2-SDRAM von SSI nutzt eine Double-Data-Rate-Architektur, um einen Hochgeschwindigkeitsbetrieb zu erreichen. Die Double-Data-Rate-Architektur ist im Wesentlichen eine 4n-Prefetch-Architektur mit einer Schnittstelle, die so ausgelegt ist, dass pro Taktzyklus zwei Datenwörter an den I/O-Balls übertragen werden.
Features
- Differential-Daten-Strobe
- 4-Bit-Prefetch-Architektur
- 4 interne Bänke für den gleichzeitigen Betrieb
- Einstellbare Datenausgangsstärke, Optionen für volle und reduzierte Stärke
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Gehäuse | TFBGA-84 | |
| Montage | SMD | |
| Speichergröße | 512 Mbit | |
| Spannung | 1,7-1,9 V | |
| Zugriffszeit | 4.5 s | |
| Taktfrequenz | 333 MHz | |
| Technologie | SDRAM | |
| min. Temperatur | 0 °C | |
| max. Temperatur | 85 °C |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Ursprungsland | CN |
| MSL | MSL 3 |
| Zolltarifnummer | 85423261 |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |