IS42VM32160E-75BLI | Integrated Silicon Solution INC
DRAM, 512 Mbit, TFBGA-90, Integrated Silicon Solution INC IS42VM32160E-75BLI
Bestellnr.: 54S0782
HTN:
IS42VM32160E-75BLI
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Synchrones DRAM, IS42VM32160E-75BLI, Integrated Silicon Solution INC
Der IS42VM32160E-75BLI ist ein mobiler 536.870.912-Bit-CMOS-Synchron-DRAM, der als 4 Bänke mit 4.194.304 Wörtern × 32 Bit organisiert ist. Das Produkt bietet einen vollständig synchronen Betrieb und ist auf die positive Flanke des Takts referenziert. Alle Ein- und Ausgänge sind mit der steigenden Flanke des Takteingangs synchronisiert. Der Datenpfad ist intern pipeliniert, um eine hohe Bandbreite zu erreichen. Alle Eingangs- und Ausgangsspannungspegel sind mit LVCMOS kompatibel.
Features
- Automatische Aktualisierung und Selbstaktualisierung
- Alle Ein- und Ausgänge bezogen auf die positive Flanke des Systemtakts
- Interner 4-Banken-Betrieb
- Burst-Lese-Einzelschreibvorgang
- Programmierbare Treiberstärkeregelung
- Automatische Vorladung, einschließlich CONCURRENT Auto Precharge Mode und kontrollierter Vorladung
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Gehäuse | TFBGA-90 | |
| Montage | SMD | |
| Speichergröße | 512 Mbit | |
| Spannung | 1,7-1,95 V | |
| Zugriffszeit | 6 s | |
| Taktfrequenz | 133 MHz | |
| Technologie | SDRAM | |
| min. Temperatur | -40 °C | |
| max. Temperatur | 85 °C |
Download
Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Ursprungsland | TW |
| MSL | MSL 3 |
| Zolltarifnummer | 85423261 |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |