IS42S32800J-7TLI | Integrated Silicon Solution INC

DRAM, 256 Mbit, TFSOP-86, Integrated Silicon Solution INC IS42S32800J-7TLI

Bestellnr.: 54S0104
HTN:
IS42S32800J-7TLI
IS42S32800J-7TLI Integrated Silicon Solution INC Speicher ICs
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Synchrones DRAM, IS42S32800J-7TLI, Integrated Silicon Solution INC

Der synchrone 256-MB-DRAM von ISSI ermöglicht dank Pipeline-Architektur eine hohe Datenübertragungsgeschwindigkeit. Alle Ein- und Ausgangssignale beziehen sich auf die steigende Flanke des Takteingangs. Der 256-MB-SDRAM ist in 2 Meg x 32 Bit x 4 Bänken organisiert.

Features

  • Vollständig synchron; alle Signale beziehen sich auf eine positive Taktflanke
  • Interne Bank zum Verbergen von Zeilenzugriff/Voraufladung
  • Automatische Aktualisierung (CBR)
  • Selbstaktualisierung
  • Zufällige Spaltenadresse bei jedem Taktzyklus
  • Burst-Lese-/Schreib- und Burst-Lese-/Einzelschreibvorgänge
  • Burst-Beendigung durch Burst-Stopp und Vorlade-Befehl
Technische Daten
Filter Merkmal Wert
Gehäuse TFSOP-86
Montage SMD
Speichergröße 256 Mbit
Spannung 3-3,6 V
Zugriffszeit 5.4 s
Taktfrequenz 143 MHz
Technologie SDRAM
min. Temperatur -40 °C
max. Temperatur 85 °C
Logistik
Merkmal Wert
Ursprungsland CN
MSL MSL 3
Zolltarifnummer 85423261
Compliance
Merkmal Wert
RoHS konform Ja
Stand der RoHS-Richtlinie 31.03.15
SVHC frei Ja