IS42S32160F-7BLI | Integrated Silicon Solution INC
DRAM, 512 Mbit, TFBGA-90, Integrated Silicon Solution INC IS42S32160F-7BLI
Bestellnr.: 54S0140
HTN:
IS42S32160F-7BLI
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Synchrones DRAM, IS42S32160F-7BLI, Integrated Silicon Solution INC
Der 512-MB-Synchron-DRAM von ISSI erreicht dank seiner Pipeline-Architektur eine hohe Datenübertragungsgeschwindigkeit. Alle Ein- und Ausgangssignale beziehen sich auf die steigende Flanke des Takteingangs. Der 512-MB-SDRAM ist wie folgt aufgebaut.
Features
- Interne Bank zum Verbergen von Zeilenzugriff/Voraufladung
- Automatische Aktualisierung (CBR)
- Selbstaktualisierung
- Zufällige Spaltenadresse bei jedem Taktzyklus
- Burst-Lese-/Schreib- und Burst-Lese-/Einzelschreibvorgänge
- Burst-Beendigung durch Burst-Stopp und Vorlade-Befehl
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Gehäuse | TFBGA-90 | |
| Montage | SMD | |
| Speichergröße | 512 Mbit | |
| Spannung | 3-3,6 V | |
| Zugriffszeit | 5.4 s | |
| Taktfrequenz | 143 MHz | |
| Technologie | SDRAM | |
| min. Temperatur | -40 °C | |
| max. Temperatur | 85 °C |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Ursprungsland | TW |
| MSL | MSL 3 |
| Zolltarifnummer | 85423261 |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |