IS42S16160J-7BLI | Integrated Silicon Solution INC
DRAM, 256 Mbit, TFBGA-54, Integrated Silicon Solution INC IS42S16160J-7BLI
Bestellnr.: 54S0066
HTN:
IS42S16160J-7BLI
Einzelpreis (€ / Stk.)
0,4455 € *
Standardlieferzeit ab Hersteller beträgt: 1 Woche
Synchrones DRAM, IS42S16160J-7BLI, Integrated Silicon Solution INC
Der synchrone 256-Mb-DRAM von ISSI erreicht dank einer Pipeline-Architektur eine hohe Datenübertragungsgeschwindigkeit. Alle Eingangs- und Ausgangssignale beziehen sich auf die steigende Flanke des Takteingangs. Der 256-Mb-SDRAM ist wie folgt aufgebaut.
Features
- Interne Bank zum Verbergen von Zeilenzugriff/Voraufladung
- Automatische Aktualisierung (CBR)
- Selbstaktualisierung
- Zufällige Spaltenadresse bei jedem Taktzyklus
- Burst-Lese-/Schreib- und Burst-Lese-/Einzelschreibvorgänge
- Burst-Beendigung durch Burst-Stopp und Vorlade-Befehl
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Gehäuse | TFBGA-54 | |
| Montage | SMD | |
| Speichergröße | 256 Mbit | |
| Spannung | 3-3,6 V | |
| Zugriffszeit | 5.4 s | |
| Taktfrequenz | 143 MHz | |
| Technologie | SDRAM | |
| min. Temperatur | -40 °C | |
| max. Temperatur | 85 °C |
Download
Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Ursprungsland | TW |
| MSL | MSL 3 |
| Zolltarifnummer | 85423261 |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |