BAS16E6327 | Infineon Technologies
Schaltdiode, einfach, 370 mW, SOT-23, Infineon Technologies BAS16E6327
Schaltdiode, BAS16E6327, Infineon Technologies
Die BAS16E6327 ist eine Siliziumschaltdiode für Hochgeschwindigkeitsschaltanwendungen.
Features
- Pb-freie Verpackung
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Ausführung | einfach | |
| Gehäuse | SOT-23 | |
| Impuls-Verlustleistung | 370 mW | |
| Durchbruchspannung | 85 V | |
| Anzahl der Dioden | 1 | |
| Montage | SMD | |
| min. Temperatur | -65 °C | |
| max. Temperatur | 150 °C |
Download
Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Originalverpackung | Rolle mit 45.000 Stück |
| Ursprungsland | CN |
| Zolltarifnummer | 85411000 |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |