SPW20N60S5FKSA1 | Infineon Technologies
Infineon Technologies N-Kanal CoolMOS Power Transistor, 600 V, 20 A, TO-247, SPW20N60S5FKSA1
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MOSFETs, SPW20N60SBFKSA1, Infineon Technologies
Features
- Neue revolutionäre Hochspannungstechnologie
- Extrem dv/dt bewertet
- Verbesserte Transkonduktanz
- Ultra Niedrige Gate-Ladung
- Sehr niedrige effektive Kapazitäten
Technische Daten
| Verlustleistung W (DC) | 208 W | |
| Ausführung | N-Kanal | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 2x10<sup>-8</sup> C | |
| Montage | THT | |
| max. Strom | 20 A | |
| Gehäuse | TO-247 | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 190 mΩ | |
| max. Spannung | 600 V |
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Logistik
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Stange mit 30 Stück |
| Ursprungsland | CN |
Compliance
| SVHC frei | Ja |
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |