SPW17N80C3 | Infineon Technologies
Infineon Technologies N-Kanal CoolMOS Power Transistor, 800 V, 17 A, TO-247, SPW17N80C3
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MOSFETs, SPW17N80C3, Infineon Technologies
Features
- Neue revolutionäre Hochspannungstechnologie
- Extrem dv/dt bewertet
- Hohe Spitzenstromfähigkeit
- Ultra Niedrige Gate-Ladung
- Sehr niedrige effektive Kapazitäten
Anwendungen
- Industrielle Anwendung mit hoher Gleichstrom-Volumenspannung
- Anwendung schalten
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Gehäuse | TO-247 | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 8.8x10<sup>-8</sup> C | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| max. Spannung | 800 V | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 290 mΩ | |
| Montage | THT | |
| max. Strom | 17 A | |
| Ausführung | N-Kanal | |
| Verlustleistung W (DC) | 227 W |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Originalverpackung | Stange mit 30 Stück |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Ursprungsland | CN |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| RoHS konform | Ja |
| SVHC frei | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |