IRLR3110ZTRPBF | Infineon Technologies
Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, DPAK, IRLR3110ZTRPBF
Bestellnr.: 54S1038
HTN:
IRLR3110ZTRPBF
SP001574010
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Leistungs-MOSFET, IRLR3110ZTRPBF, INFINEON
Dieser speziell für industrielle Anwendungen konzipierte HEXFET-Leistungs-MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen On-Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Weitere Merkmale dieses Designs sind eine Sperrschicht-Betriebstemperatur von 175 °C, eine hohe Schaltgeschwindigkeit und eine verbesserte Avalanche-Wiederholungsrate. Diese Merkmale machen dieses Design zu einem äußerst effizienten und zuverlässigen Bauelement für den Einsatz in industriellen Anwendungen und einer Vielzahl anderer Anwendungen.
Features
- Optimiert für eine möglichst breite Verfügbarkeit bei den Vertriebspartnern
- Logikpegel: Optimiert für 10 V Gate-Treiberspannung, geeignet für 4,5 V Gate-Treiberspannung
- Industriestandard-Gehäuse für die Oberflächenmontage
- Geeignet für Wellenlötung
- Halogenfrei
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Montage | SMD | |
| max. Temperatur | 175 °C | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=4,5V | 16 mΩ | |
| Gehäuse | DPAK | |
| Ausführung | N-Kanal | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 14 mΩ |
Download
Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Originalverpackung | Rolle mit 2.000 Stück |
| Ursprungsland | CN |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| RoHS konform | Ja |
| SVHC frei | Ja |