IRLML6402TRPBF | Infineon Technologies
Infineon Technologies P-Kanal HEXFET Power MOSFET, 20 V, 3.7 A, SOT-23, IRLML6402TRPBF
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Leistungs-MOSFET, IRLML6402TRPBF, Infineon Technologies
Diese P-Kanal-MOSFETs von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen On-Widerstand pro Siliziumbereich zu erreichen. Dieser Vorteil in Verbindung mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Bauelementdesign, für die HEXFET®-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Bauelement für den Einsatz im Batterie- und Lastmanagement.
Features
- Ultra-niedriger On-Widerstand
- P-Kanal-MOSFET
- SOT-23 Fußabdruck
Technische Daten
| Verlustleistung W (DC) | 1.3 W | |
| max. Strom | 3.7 A | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 8x10<sup>-9</sup> C | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Ausführung | P-Kanal | |
| Montage | SMD | |
| max. Spannung | 20 V | |
| Gehäuse | SOT-23 | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 65 mΩ | |
| min. Temperatur | -55 °C |
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Logistik
| Originalverpackung | Rolle mit 3.000 Stück |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Ursprungsland | PH |
| MSL | MSL 1 |
Compliance
| SVHC frei | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| RoHS konform | Ja |